特許
J-GLOBAL ID：200903048617735731

欠陥検出装置、欠陥検出方法、情報処理装置、情報処理方法及びそのプログラム

発明者：
河原木 浩

河原木 浩 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (2件)： 大森 純一 ,  折居 章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-327095
公開番号（公開出願番号）：特開2008-139201
出願日： 2006年12月04日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
【課題】絶対的なモデル画像を必要とすることなく、誤検出を防ぎながら高精度かつ効率的にMEMSデバイスの欠陥を検出すること。【解決手段】欠陥検出装置100は、ウェハ1の各ダイ30に形成されたプロテインチップ35を、各ダイが複数に分割された第1分割領域71毎にそれぞれ撮像して、各第1分割領域71を識別するIDとともに検査対象画像として保存し、各検査対象画像に対してハイパスフィルタを施して低周波成分を除去した後、対応するIDを有する各検査対象画像の各画素毎の平均輝度値を算出して各第1分割領域71毎のモデル画像を作成し、モデル画像と各検査対象画像との差分を差分画像として抽出した後、各差分画像に対してBlob抽出によるフィルタリングを施して所定面積以上のBlobを欠陥として抽出し、抽出されたBlobの特徴量を基に欠陥の種類を分類する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ上の複数のダイにそれぞれ形成された微小構造体を、前記各ダイの領域が複数に分割された分割領域毎にそれぞれ撮像する撮像手段と、 前記撮像される微小構造体を照明する照明手段と、 前記撮像された各分割領域毎の画像を、前記各ダイ内における前記各分割領域の位置を識別する識別情報と対応付けて検査対象画像として記憶する記憶手段と、 前記記憶された各検査対象画像に対して、当該各検査対象画像中の低周波成分を除去するためのフィルタリングを施す第1のフィルタリング手段と、 前記フィルタリングされた各検査対象画像のうち、前記各ダイ間で前記識別情報が対応する各分割領域の各検査対象画像を平均化した平均画像をモデル画像として前記識別情報毎にそれぞれ作成するモデル画像作成手段と、 前記作成された各モデル画像と、当該各モデル画像に前記識別情報が対応する前記フィルタリングされた前記各検査対象画像とを比較して、前記微小構造体の欠陥を検出する検出手段と を具備することを特徴とする欠陥検出装置。
IPC (4件)：
G01B 11/30 ,  G01N 21/956 ,  H01L 21/66 ,  G06T 1/00
FI (4件)：
G01B11/30 A ,  G01N21/956 A ,  H01L21/66 J ,  G06T1/00 305A
Fターム (54件)：
2F065AA03 ,  2F065AA48 ,  2F065AA49 ,  2F065AA58 ,  2F065AA61 ,  2F065CC19 ,  2F065FF04 ,  2F065GG03 ,  2F065GG07 ,  2F065GG08 ,  2F065GG24 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ09 ,  2F065JJ26 ,  2F065LL30 ,  2F065PP12 ,  2F065QQ03 ,  2F065QQ13 ,  2F065QQ33 ,  2F065QQ42 ,  2F065RR08 ,  2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051AC21 ,  2G051BB01 ,  2G051CA04 ,  2G051DA07 ,  2G051EA16 ,  2G051EB01 ,  2G051EC03 ,  2G051ED01 ,  2G051ED04 ,  2G051ED11 ,  2G051ED21 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA10 ,  4M106CA41 ,  4M106CA46 ,  4M106DB04 ,  4M106DB18 ,  4M106DB21 ,  4M106DB30 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  5B057AA03 ,  5B057BA02 ,  5B057DA03 ,  5B057DB02 ,  5B057DB09 ,  5B057DC03 ,  5B057DC04 ,  5B057DC09 ,  5B057DC32
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (12件)
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