特許
J-GLOBAL ID：200903049203211621

半導体レーザ装置

発明者：
高橋 孝志

高橋 孝志 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 柏木 慎史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-220649
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044563
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 導波路吸収損失が小さく、かつ、共振器端面の光学損傷を抑制する赤色半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 ストライプ領域のGaInPエッチングストップ層106上に、AlGaInP光導波層109を形成することで、ストライプ領域の実屈折率が増加して実屈折率導波型半導体レーザを構成できる。また、ストライプ領域外側の電流ブロック層は活性層105よりもバンドギャップの大きいAlGaInPから形成されており、レーザ光の吸収損失を低減できる。さらに、AlGaInP電流ブロック層107,108のAl組成が第2導電型AlGaInPクラッド層110のAl組成と略等しくなっており、Al組成が増加していないので、レーザ共振器端面の光学損傷レベルが増加することもない。
請求項（抜粋）：
GaAs又はGaAsとGaPの間の格子定数を有する第1導電型基板上に、第1導電型AlGaInPクラッド層、GaInAsP活性層及びGaInPエッチングストップ層を有し、電流注入するストライプ領域の両側の前記GaInPエッチングストップ層上にAlGaInP電流ブロック層を有し、前記AlGaInP電流ブロック層上及びストライプ領域の前記GaInPエッチングストップ層上に、AlGaInP光導波層及び第2導電型AlGaInPクラッド層が形成されてなり、前記AlGaInP電流ブロック層のAl組成が、前記第2導電型AlGaInPクラッド層のAl組成と略等しいことを特徴とする半導体レーザ装置。
Fターム (7件)：
5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA44 ,  5F073AA53 ,  5F073CA12 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02
引用特許：
審査官引用 (15件)
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-134469   出願人：住友電気工業株式会社
  • 特開昭63-278395
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-161794   出願人：住友電気工業株式会社
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