特許
J-GLOBAL ID：200903049294407523
成膜方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
渡辺 望稔
, 三和 晴子
, 福島 弘薫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-065059
公開番号（公開出願番号）：特開2006-249471
出願日： 2005年03月09日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】長尺物にスパッタリングで成膜を行うに際し、目的物性を有し、かつ、密着性に優れ、表面性状が良好な薄膜を、高い生産性で成膜できる成膜方法を提供する。 【解決手段】電気的にフローティングな状態とグラウンド電位になっている状態とを選択して切り換え可能な円筒状のドラム、および、ターゲットを保持し直流のパルス電源によってターゲットに電圧を印可するカソードを用い、ドラムをフローティング状態もしくはグラウンド電位状態として、ドラムの側面で基板を保持して長手方向に搬送しつつ、カソードにおけるターゲットへの電圧印加を所定のタイミングでon/offして、前記基板の表面にスパッタリングで成膜を行うことにより、前記課題を解決する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
長尺な可撓性の基板にスパッタリングで成膜するに際し、
電気的にフローティングな状態とグラウンド電位になっている状態とを選択して切り換え可能な円筒状のドラム、および、ターゲットを保持し直流のパルス電源によって前記ターゲットに電圧を印可するカソードを用い、
前記ドラムをフローティング状態もしくはグラウンド電位状態として、ドラムの側面で前記基板を保持して長手方向に搬送しつつ、前記カソードにおけるターゲットへの電圧印加を所定のタイミングでon/offして、前記基板の表面にスパッタリングで成膜を行うことを特徴とする成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C14/56 E
, C23C14/34 C
4K029AA11
, 4K029AA25
, 4K029DC15
, 4K029JA10
出願人引用 (2件)
審査官引用 (11件)
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