特許
J-GLOBAL ID：200903049872220121

高誘電体キャパシタ及びその製造方法

発明者：
金 宥 聲

金 宥 聲 について

, 
李 相 敦

李 相 敦 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 中川 周吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-069577
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026295
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ストレージ電極の側部及びプレート電極の上部に拡散防止膜を形成して後続熱処理時の水素イオンの侵透を防止することにより、前記短所を解消できる高誘電体キャパシタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 金属からなるストレージ電極18及びプレート電極20、前記電極間に形成された高誘電体膜19を有するキャパシタにおいて、ストレージ電極の側部及びプレート電極の上部にガスイオンの侵透を防止するための拡散防止膜16,21をそれぞれ形成した高誘電体キャパシタ。
請求項（抜粋）：
金属からなるストレージ電極及びプレート電極、前記電極間に形成された高誘電体膜を有するキャパシタにおいて、前記ストレージ電極の側部及び前記プレート電極の上部に、ガスイオンの侵透を防止するための拡散防止膜をそれぞれ形成したことを特徴とする高誘電体キャパシタ。
IPC (5件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/105
FI (6件)：
H01L 21/314 M ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 444 B
Fターム (32件)：
5F058BA05 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD03 ,  5F058BD05 ,  5F058BD09 ,  5F058BF02 ,  5F058BF17 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ05 ,  5F083AD26 ,  5F083AD49 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA25 ,  5F083JA01 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21 ,  5F083PR34 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (11件)
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