電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-129637
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305630
出願日： 2006年05月08日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：

【課題】電界効果トランジスタを構成するp型半導体層内のドーパント不純物量やp型層とゲート絶縁膜間の界面準位密度を制御することにより、チャネルとなるp型半導体層の低抵抗を確保しつつ、コラプス現象を抑制し、更に高温での動作を安定化し、良好な信頼性を確保する。【解決手段】基板2と、前記基板2の上に形成され、p型のドーパントとともにn型のドーパントがドーピングされた前記基板と格子定数が異なるp型の窒化物系化合物半導体層3と、前記p型の窒化物系化合物半導体層3上に形成された絶縁膜4と、前記p型の窒化物系化合物半導体層3をチャネル層とするために前記p型の窒化物系化合物半導体層3と電気的に接続されたソース電極S及びドレイン電極Dと、前記絶縁膜4上に形成されたゲート電極Gと、を有する電界効果トランジスタ1。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上に形成され、p型のドーパントとともにn型のドーパントがドーピングされた前記基板と格子定数が異なるp型の窒化物系化合物半導体層と、前記p型の窒化物系化合物半導体層上に形成された絶縁膜と、前記p型の窒化物系化合物半導体層をチャネル層とするために前記p型の窒化物系化合物半導体層と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有する電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20

FI (9件)：

H01L29/78 301B , H01L21/28 301R , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L29/78 618B , H01L29/78 618F , H01L29/78 617U , H01L29/78 618A , H01L21/20

Fターム (99件)：

4M104AA04 , 4M104BB01 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD26 , 4M104DD36 , 4M104DD37 , 4M104DD65 , 4M104DD78 , 4M104EE03 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE15 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF35 , 5F110GG01 , 5F110GG04 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK11 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK41 , 5F140AA05 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BB15 , 5F140BC09 , 5F140BC12 , 5F140BC17 , 5F140BD04 , 5F140BD06 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BG30 , 5F140BH21 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK13 , 5F140BK18 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LN02 , 5F152MM04 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN09 , 5F152NN10 , 5F152NN13 , 5F152NP09 , 5F152NP29 , 5F152NQ09

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平3-218625号公報
特許2785253
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-354655 出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝

全件表示

審査官引用 (8件)

GaN系電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-328873 出願人：古河電気工業株式会社
pn接合を有するIII-V族化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-234946 出願人：ローム株式会社
低抵抗p型GaN結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-258054 出願人：科学技術振興事業団

全件表示

前のページに戻る