シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜の製造方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (6件)：社本一夫 , 小野新次郎 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 岡本芳明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-149102
公開番号（公開出願番号）：特開2008-303078
出願日： 2007年06月05日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：

【課題】従来技術において使用された電磁分離法やシランガスを原料として用いることなく、原料と同等の同位体組成を持つ平滑なシリコンおよび同位体濃縮シリコン薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】ハロゲン化シリコンあるいはシリコンの同位体を濃縮したハロゲン化シリコンを原料として用い、水素と反応させることにより、基板上に、シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜を成膜する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ハロゲン化シリコンあるいはシリコンの同位体を濃縮したハロゲン化シリコンを原料として用い、水素と反応させることにより、基板上に、シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜を成膜することを特徴とするシリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

C01B 33/02 , C01B 33/03

FI (2件)：

C01B33/02 D , C01B33/03

Fターム (16件)：

4G072AA01 , 4G072AA02 , 4G072BB09 , 4G072GG03 , 4G072HH05 , 4G072HH07 , 4G072HH10 , 4G072HH11 , 4G072JJ01 , 4G072NN13 , 4G072QQ20 , 4G072RR01 , 4G072RR11 , 4G072RR25 , 4G072TT30 , 4G072UU01

引用特許：

出願人引用 (1件)

レーザーによるシリコン同位体の高効率分離・濃縮法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-249048 出願人：日本原子力研究所, ヒルリサーチ有限会社, ニユークリア・デベロップメント株式会社

審査官引用 (11件)

高純度同位体シリコン結晶膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-069557 出願人：科学技術庁金属材料技術研究所長
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-178390 出願人：株式会社東芝
特開昭56-169118

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