特許
J-GLOBAL ID：200903057296701987

半導体装置およびその製造方法

発明者：
大村 昌良

大村 昌良 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-309154
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150712
出願日： 2004年10月25日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】 容量素子とヒューズ素子とを従来の方法によって半導体基板上に形成する場合、未配線の状態の容量素子およびヒューズ素子を得る過程においてだけでも、少なくとも3種類のエッチングマスクを使い分けて所定の層をパターニングすることが必要である。容量素子およびヒューズ素子の他にMOS型電界効果トランジスタをも備えた半導体装置を製造するに当たってエッチングマスクの数を減らすことができれば、工程数を低減させることができ、生産性の向上や製造コストの低減を図ることが容易になる。【解決手段】 容量素子の上部電極の構造を、第1上部電極に第2上部電極が積層された2層構造とし、MOS型電界効果トランジスタのゲート電極およびヒューズ素子を、容量素子の下部電極、第1上部電極、または第2上部電極の形成に使用する導電膜をパターニングして形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
素子分離絶縁膜およびMOS型電界効果トランジスタ用のゲート絶縁膜が一表面に形成された半導体基板と、 前記素子分離絶縁膜上に形成された容量素子であって、下部電極、容量絶縁膜、および上部電極が前記素子分離絶縁膜上にこの順番で積層された層構成を有し、前記上部電極が、前記下部電極と同じ材料によって前記容量絶縁膜上に形成された第1上部電極と、前記第1上部電極とは異なる材料によって該第1上部電極上に形成された第2上部電極とによって構成される容量素子と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極を有するMOS型電界効果トランジスタであって、前記ゲート電極が、前記下部電極と同じ材料によって形成された第1ゲート電極と、該第1ゲート電極上に前記第2上部電極と同じ材料によって形成された第2ゲート電極とを有し、前記第1ゲート電極の膜厚が前記下部電極の膜厚にほぼ等しく、前記第2ゲート電極の膜厚が前記第2上部電極の膜厚にほぼ等しいMOS型電界効果トランジスタと、 前記素子分離絶縁膜上に形成された第1のヒューズ素子であって、前記下部電極と同じ材料によって形成された第1可溶断層と、該第1可溶断層上に前記第2上部電極と同じ材料によって形成された第2可溶断層とを有し、前記第1可溶断層の膜厚が前記下部電極の膜厚にほぼ等しく、前記第2可溶断層の膜厚が前記第2上部電極の膜厚にほぼ等しい第1のヒューズ素子と を備えた半導体装置。
IPC (7件)：
H01L21/8234 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092
FI (5件)：
H01L27/06 102A ,  H01L27/08 321A ,  H01L27/04 C ,  H01L27/04 V ,  H01L21/82 F
Fターム (52件)：
5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038AR09 ,  5F038AR10 ,  5F038AR21 ,  5F038AV02 ,  5F038AV06 ,  5F038AV15 ,  5F038CD18 ,  5F038CD19 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB06 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F064CC10 ,  5F064CC12 ,  5F064CC22 ,  5F064CC23 ,  5F064CC30 ,  5F064DD48 ,  5F064EE32 ,  5F064EE34 ,  5F064EE35 ,  5F064EE36 ,  5F064FF05 ,  5F064FF06 ,  5F064FF27 ,  5F064FF30 ,  5F064FF32 ,  5F064FF33 ,  5F064FF34 ,  5F064FF45
引用特許：
出願人引用 (17件)
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審査官引用 (11件)
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