半導体装置の製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-272322
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093996
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】熱窒化膜をゲート絶縁膜として用いた場合に、ゲート電極の加工の時に生じたゲート絶縁膜のダメージを回復できる半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】シリコン基板11上に熱窒化膜をゲート絶縁膜13として形成し、この絶縁膜上にゲート電極材を形成した後、パターニングしてゲート電極14を形成する。この電極加工後、ゲート電極下以外のゲート絶縁膜13を除去することでその後の酸化を容易にすることを特徴としている。また、上記電極下以外のゲート絶縁膜を除去した後の酸化は、高温のウェット酸化で行うことを特徴としている。新たに形成したゲート絶縁膜を熱窒化することで後熱工程による劣化が小さい膜にでき、ゲート絶縁膜中に電子がトラップされて電流量が低下したり、ゲート絶縁膜の一部に電界が集中して劣化が加速されるのを防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にオキシナイトライド化したゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記半導体基板中に、前記ゲート電極を挟むように拡散層を形成する工程と、前記拡散層上のゲート絶縁膜を剥離する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/318 , H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 21/318 C , H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (52件)：

5F001AA06 , 5F001AA25 , 5F001AA61 , 5F001AA62 , 5F001AB08 , 5F001AD41 , 5F001AD51 , 5F001AD52 , 5F001AD53 , 5F001AG02 , 5F001AG10 , 5F001AG21 , 5F001AG29 , 5F058BA01 , 5F058BA20 , 5F058BC11 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF55 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BF64 , 5F058BH03 , 5F058BH20 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP32 , 5F083EP44 , 5F083EP45 , 5F083EP49 , 5F083EP50 , 5F083EP76 , 5F083ER21 , 5F083GA19 , 5F083GA27 , 5F083JA05 , 5F083PR05 , 5F083PR12 , 5F101BA07 , 5F101BA34 , 5F101BA35 , 5F101BB05 , 5F101BD22 , 5F101BD32 , 5F101BD33 , 5F101BD34 , 5F101BH02 , 5F101BH03 , 5F101BH14 , 5F101BH15

引用特許：

審査官引用 (19件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-017445 出願人：株式会社デンソー
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-252448 出願人：株式会社東芝
絶縁膜およびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-061140 出願人：株式会社東芝

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