薄膜作製法における膜厚分布の制御方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-406545
公開番号（公開出願番号）：特開2005-163146
出願日： 2003年12月04日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】レーザーアブレーション法やイオンビームスパッタ法などのターゲットからの放出粒子による薄膜作製法において、均一な膜厚分布を有する薄膜を堆積可能とする方法の提供。【解決手段】ターゲットから放出される粒子群が空間的に分布を有して基板に到達する薄膜作製法において、基板を固定した状態において求められた基板に堆積する膜のX軸方向及びY軸方向の膜厚分布パラメータを、X軸方向、Y軸方向への基板移動を可能にする基板移動機構の制御プログラムに入力し、薄膜の堆積中に、基板移動機構による基板のX軸方向、Y軸方向の移動速度を該制御プログラムに基づいて制御することによって、生成した薄膜の膜厚分布を平坦化することを特徴とする薄膜作製法における膜厚分布の制御方法。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

ターゲットから放出される粒子群が空間的に分布を有して基板に到達する薄膜作製法において、基板を固定した状態において求められた基板に堆積する膜のX軸方向及びY軸方向の膜厚分布パラメータを、X軸方向、Y軸方向への基板移動を可能にする基板移動機構の制御プログラムに入力し、薄膜の堆積中に、基板移動機構による基板のX軸方向、Y軸方向の移動速度を該制御プログラムに基づいて制御することによって、生成した薄膜の膜厚分布を平坦化することを特徴とする薄膜作製法における膜厚分布の制御方法。

IPC (3件)：

C23C14/54 , C23C14/28 , H01L21/285

FI (3件)：

C23C14/54 Z , C23C14/28 , H01L21/285 S

Fターム (10件)：

4K029AA09 , 4K029BA09 , 4K029CA01 , 4K029CA05 , 4K029DB20 , 4K029DC37 , 4K029EA01 , 4M104BB04 , 4M104DD33 , 4M104DD37

引用特許：

出願人引用 (12件)

特開平02-270962(特公平08-26451)号公報)
特開平04-45263(特許3080096)号公報
液晶プロジェクション装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-021890 出願人：三星電子株式会社

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審査官引用 (4件)

成膜方法および成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-032280 出願人：住友電気工業株式会社
スパッタ成膜装置及びこれを用いて作製したマスタディスク
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-377775 出願人：富士電機株式会社
レーザー蒸着成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-359610 出願人：文部科学省金属材料技術研究所長

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