特許
J-GLOBAL ID：200903065873906570
化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-361849
公開番号（公開出願番号）：特開2005-128146
出願日： 2003年10月22日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【解決手段】(A)ベース樹脂が、ポリアクリル酸類などの高分子重合体(B)式(1)の化合物 【化1】(R1、R2はH、F、アルキル又はフッ素化アルキル、R1、R2のうち少なくとも一方がフッ素原子を含む。R3は単結合又はアルキレン基、R4は環状のアルキル、nは1〜4の整数)(C)有機溶剤(D)酸発生剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料。【効果】本発明によれば、高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さく、QCM法による測定により現像中の膨潤が押さえられる超LSI製造用の微細パターン形成材料を与えることが可能である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)ベース樹脂が、ポリアクリル酸及びその誘導体、シクロオレフィン誘導体-無水マレイン酸交互重合体、シクロオレフィン誘導体と無水マレイン酸とポリアクリル酸又はその誘導体との3もしくは4元以上の共重合体、シクロオレフィン誘導体-マレイミド交互重合体、シクロオレフィン誘導体とマレイミドとポリアクリル酸又はその誘導体との3もしくは4元以上の共重合体、ポリノルボルネン、及びメタセシス開環重合体から選択される1種又は2種以上の高分子重合体、
(B)下記一般式(1)で示される化合物、
IPC (3件)：
G03F7/004
, G03F7/039
, H01L21/027
G03F7/004 501
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB10
, 2H025CB14
, 2H025CB45
, 2H025CC03
, 2H025CC20
, 2H025FA17
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (5件)
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