特許
J-GLOBAL ID：200903066347806060

ボイド発生が防止される金属配線構造及び金属配線方法

発明者：
安 正 勳

安 正 勳 について

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李 孝 鐘

李 孝 鐘 について

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李 京 泰

李 京 泰 について

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李 敬 雨

李 敬 雨 について

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李 守 根

李 守 根 について

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徐 鋒 錫

徐 鋒 錫 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-222508
公開番号（公開出願番号）：特開2005-057277
出願日： 2004年07月29日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】 ボイド発生が防止される金属配線構造及び金属配線方法を提供する。【解決手段】 第1層間絶縁膜106及び下部金属膜パターン108b上には下部金属膜パターン108bの一部表面を露出させるビアコンタクトホール120bを有する金属間絶縁膜112が配される。金属間絶縁膜112上にはビアコンタクトホール120bを露出させるトレンチ118bを有する第2層間絶縁膜116を配させる。ビアコンタクトホール120bの側面及び第2下部金属配線膜パターン108bの露出表面上には障壁金属層122bが形成される。障壁金属層122b上にはビアコンタクトホール120b内部を充填してトレンチ118bの一部を充填する第2上部金属配線膜パターン124bが配される。第2上部金属配線膜パターン124b上にはボイド拡散防止膜128が配される。そして、ボイド拡散防止膜128上には第3上部金属配線膜パターン130bが充填される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1層間絶縁膜内に配された下部金属配線膜パターンと、 前記第1層間絶縁膜及び下部金属膜パターン上で前記下部金属膜パターンの一部表面を露出させるビアコンタクトホールを有する金属間絶縁膜と、 前記金属間絶縁膜上で前記ビアコンタクトホールを露出させるトレンチを有する第2層間絶縁膜と、 前記ビアコンタクトホールの側面及び前記下部金属配線膜パターンの露出表面上に形成された障壁金属層と、 前記障壁金属層上で前記ビアコンタクトホール内部を充填して前記トレンチの一部を充填する第1厚さの第1上部金属配線膜パターンと、 前記第1上部金属配線膜パターン上に形成されたボイド拡散防止膜と、 前記ボイド拡散防止膜上で前記トレンチ内部を全て充填する第2上部金属配線膜パターンとを備えることを特徴とする金属配線構造。
IPC (1件)：
H01L21/768
FI (1件)：
H01L21/90 A
Fターム (33件)：
5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM03 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM29 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033WW09 ,  5F033XX00 ,  5F033XX10 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (11件)
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