特許
J-GLOBAL ID：200903066369692654

力学量測定装置

発明者：
島津 ひろみ

島津 ひろみ について

, 
太田 裕之

太田 裕之 について

, 
丹野 洋平

丹野 洋平 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-089834
公開番号（公開出願番号）：特開2007-263781
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】特定方向のひずみ成分を精度良く測定することができる力学量測定装置を提供する。【解決手段】半導体単結晶基板,半導体チップ内に少なくとも二組以上のブリッジ回路を形成し、前記ブリッジ回路のうち、ひとつのブリッジ回路が、電流を流して抵抗値の変動を測定する方向(長手方向)が該半導体単結晶基板の<100>方向と平行であるn型拡散抵抗を形成し、もう一つのブリッジ回路は<110>方向と平行であるp型拡散抵抗を組み合わせて形成する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体基板表面にひずみ検出部を備え、 被測定物に取り付けて、ひずみを測定する力学量測定装置において、 拡散抵抗でホイートストンブリッジをそれぞれ形成した第一のセンサと第二のセンサを備え、 前記第一のセンサを構成する前記拡散抵抗は、互いの距離がその長手方向の長さよりも小さく、 前記第二のセンサを構成する前記拡散抵抗は、互いの距離がその長手方向の長さよりも小さく、 前記第一のセンサと第二のセンサとの距離は、前記拡散抵抗の長手方向の長さより小さいことを特徴とする力学量測定装置。
IPC (4件)：
G01B 7/16 ,  G01L 1/18 ,  G01L 5/16 ,  H01L 29/84
FI (4件)：
G01B7/16 R ,  G01L1/18 A ,  G01L5/16 ,  H01L29/84 Z
Fターム (22件)：
2F051AB09 ,  2F051AC01 ,  2F051BA03 ,  2F051DA02 ,  2F051DB01 ,  2F063AA25 ,  2F063BA30 ,  2F063CA09 ,  2F063EC03 ,  2F063EC06 ,  2F063EC25 ,  2F063EC26 ,  4M112AA04 ,  4M112BA01 ,  4M112CA41 ,  4M112CA42 ,  4M112CA44 ,  4M112CA47 ,  4M112CA50 ,  4M112CA52 ,  4M112EA03 ,  4M112FA20
引用特許：
出願人引用 (20件)
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審査官引用 (25件)
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