特許
J-GLOBAL ID：200903071393400803
非破壊膜厚計測方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
橋爪 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-124706
公開番号（公開出願番号）：特開2007-298314
出願日： 2006年04月28日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：
【課題】近接場フォトンを利用することで、次世代半導体用ナノインプリント極薄残膜の膜厚を非破壊計測する。【解決手段】 光源16により測定対象10を照射し、近接場光プローブ15を測定対象10の表面に接近させ、測定対象10とプローブ15との間のエアーギャップ値を測定する。プローブ15の先端に形成される近接場フォトン局在領域内に測定対象を存在させることにより近接場フォトン場を生成し、近接場フォトン場に応じた伝搬光である近接場フォトン応答光を放射させ、受光部17で近接場フォトン応答光を計測する。PC21は、計測された近接場フォトン応答光の強度と、計測されたエアーギャップ値とに基づいて、測定対象の膜厚情報を求める。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光源により測定対象を照射し、
近接場光プローブを測定対象の表面に接近させ、
測定対象と前記近接場光プローブとの間のエアーギャップ値を測定し、
前記近接場光プローブの先端に形成される近接場フォトン局在領域内に測定対象を存在させることにより、前記近接場プローブの先端部の双極子と測定対象の物質内の双極子との相互作用による近接場フォトン場を生成し、前記近接場フォトン場に応じた伝搬光である近接場フォトン応答光を放射させ、
前記近接場フォトン応答光を計測し、
計測された前記近接場フォトン応答光の強度と、計測された前記エアーギャップ値とに基づいて、測定対象の膜厚情報を求める
非破壊膜厚計測方法。
IPC (3件)：
G01B 11/06
, G01N 13/14
, H01L 21/66
G01B11/06 Z
, G01N13/14 B
, H01L21/66 P
2F065AA30
, 2F065CC17
, 2F065CC31
, 2F065DD03
, 2F065DD06
, 2F065FF41
, 2F065GG05
, 2F065HH08
, 2F065HH09
, 2F065HH10
, 2F065JJ17
, 2F065LL02
, 2F065LL12
, 2F065LL33
, 2F065LL36
, 2F065NN20
, 2F065PP12
, 2F065PP24
, 2F065QQ25
, 2F065RR05
, 2F065RR06
, 4M106AA01
, 4M106BA05
, 4M106CA48
, 4M106DH03
, 4M106DH12
, 4M106DH32
