特許
J-GLOBAL ID：200903072167584116

半導体レーザ素子

発明者：
吉田 順自

吉田 順自 について

, 
築地 直樹

築地 直樹 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-182167
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009401
出願日： 2000年06月16日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】 高光出力の半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 n型半導体基板1の上に、n型下部クラッド層2、下部光閉じ込め層3、量子井戸構造の活性層4、上部光閉じ込め層5、Znドープp型上部クラッド層6A,6B、およびキャップ層7がこの順序で形成されている半導体レーザ素子において、上部光閉じ込め層5と前記Znドープp型上部クラッド層6の間には、厚さが10〜100nmであるノンドープの半導体層8、とりわけノンドープInP層が介装されている半導体レーザ素子。
請求項（抜粋）：
n型半導体基板の上に、n型下部クラッド層、下部光閉じ込め層、量子井戸構造の活性層、上部光閉じ込め層、Znドープp型上部クラッド層、およびキャップ層がこの順序で形成されている半導体レーザ素子において、前記上部光閉じ込め層と前記Znドープp型上部クラッド層の間には、ノンドープの半導体層が介装されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/227
FI (2件)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/227
Fターム (9件)：
5F073AA22 ,  5F073AA46 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA12 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA24
引用特許：
審査官引用 (11件)
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