半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：井上学 , 戸田裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-243218
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076611
出願日： 2007年09月20日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：

【課題】これまで、高耐熱性が要求される車載用交流発電機に用いられる半導体装置の接続部材には高鉛はんだが使用されてきているが、環境負荷低減のため鉛を使わない接続部材とすることが必要となってきた。【解決手段】耐熱性200°Cの接続方法として、Sn-(1〜10)mass%Cu-(0.05〜0.5)mass%NiはんだおよびNi系層を組合せることで界面反応を抑制できること、大電流を流したときの半導体素子接続部におけるボイド生成を抑制できることを見出し、高鉛はんだの代替接続材料としてSn系はんだを用いて高鉛はんだと同等な電気的および機械的特性が得られることを確認した。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

部材に半導体素子が搭載された半導体装置であって、前記部材と前記半導体素子とを接続する第一の接続部は、前記部材上に形成された第一のNi系層と、前記第一のNi系層上に形成されたCu-Ni-Sn化合物を主体とする第一の金属間化合物層と、前記第一の金属間化合物層と前記半導体素子との間に形成されたSn系はんだ層と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/52 , H01L 23/48

FI (3件)：

H01L21/52 E , H01L23/48 C , H01L23/48 F

Fターム (7件)：

5F047AA03 , 5F047AA07 , 5F047AA08 , 5F047AA09 , 5F047AB03 , 5F047BA06 , 5F047BA19

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-012452 出願人：サンケン電気株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-307843 出願人：サンケン電気株式会社
車両用交流発電機
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-336016 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング

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審査官引用 (5件)

半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-251090 出願人：株式会社日立製作所
無鉛半田合金
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-030556 出願人：日本アルミット株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-153302 出願人：株式会社日立製作所

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