半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-045181
公開番号（公開出願番号）：特開2006-270077
出願日： 2006年02月22日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】可撓性を有し、曲げ等の物理的変化に対して耐性を有する半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】可撓性を有する基板上に設けられた、半導体膜、半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極およびゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜とを有する複数のトランジスタと、複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、屈折部分は、層間絶縁膜に設けられた開口部に層間絶縁膜より弾性率が低い物質が充填されて設けられている。また、本発明では、開口部に充填する物質として他にも、層間絶縁膜よりガラス転移点が低い物質や塑性を有する物質を設けることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

可撓性を有する基板上に設けられた、半導体膜、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極を有する複数のトランジスタと、前記ゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜と、前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、前記屈折部分は、前記層間絶縁膜に設けられた空間であることを特徴とする半導体装置。

IPC (16件)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/764 , H01L 21/76 , H01L 27/06 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 27/088 , H01L 27/08 , H01L 25/18 , H01L 25/04 , H05B 33/02 , H01L 51/50 , H05B 33/14

FI (15件)：

H01L27/12 B , H01L29/78 621 , H01L29/78 618B , H01L29/78 627D , H01L21/76 A , H01L21/76 L , H01L27/06 102A , H01L27/08 321B , H01L27/08 102A , H01L27/08 331A , H01L25/04 Z , H05B33/02 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , H01L27/12 F

Fターム (91件)：

3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107CC43 , 3K107DD17 , 3K107EE03 , 3K107FF02 , 3K107FF05 , 3K107GG00 , 3K107HH05 , 5F032AA06 , 5F032AA50 , 5F032AA54 , 5F032AA69 , 5F032AC02 , 5F032CA09 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032CA21 , 5F032CA23 , 5F032DA09 , 5F032DA10 , 5F032DA21 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA41 , 5F032DA71 , 5F048AA04 , 5F048AC01 , 5F048AC04 , 5F048AC10 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB08 , 5F048BC06 , 5F048BC16 , 5F048BC18 , 5F048BE08 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BG01 , 5F048BG07 , 5F048DA23 , 5F110AA21 , 5F110AA22 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110CC04 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE05 , 5F110EE31 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HK05 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN36 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN71 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110QQ16

引用特許：

審査官引用 (14件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-072912 出願人：富士電機株式会社
薄膜集積回路装置、ICラベル、薄膜集積回路が搭載された容器、それらの作製方法、及び当該容器を有する商品の管理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-048421 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
ウエハー吸着加熱装置及びウエハー吸着装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-077578 出願人：日本碍子株式会社

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