半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：池田憲保 , 福田修一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-332003
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147365
出願日： 2006年12月08日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：

【課題】SiC基板上に、通常のシリコン酸化膜形成技術によってゲート絶縁膜を形成した場合、良好な電気的な特性を持つゲート酸化膜が得られない。【解決手段】SiC基板上におけるゲート絶縁膜中の炭素含有量を減少させることによって、ヒステリシスが小さく、高耐圧の膜を得ることができた。このため、プラズマ処理装置を用いて、SiC基板上にシリコン酸化膜を形成した後、窒素原子を含むラジカルに、形成されたシリコン酸化膜を曝して改質を行うことにより、電気的特性の優れたゲート絶縁膜を得ることができた。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

SiCを主成分とする半導体領域上にゲート絶縁膜を有する半導体装置において、前記ゲート絶縁膜の炭素含有量が1×1020atoms/cm3以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/318

FI (4件)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 658F , H01L29/78 652K , H01L21/318 C

Fターム (9件)：

5F058BB01 , 5F058BC11 , 5F058BD15 , 5F058BF08 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF72 , 5F058BH16 , 5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (2件)

SiC素子及びその製造方法
公報種別：再公表公報出願番号：JP1997000855 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置の製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-114616 出願人：大見忠弘, 東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (9件)

SiC半導体装置の製造方法及びSiC半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-075527 出願人：独立行政法人科学技術振興機構
炭化ケイ素上の酸化物層の欠陥を少なくするための方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-518224 出願人：クリーリサーチインコーポレイテッド
絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-360807 出願人：東京エレクトロン株式会社

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