特許
J-GLOBAL ID：200903081314954489
半導体IC内蔵基板及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鷲頭 光宏
, 緒方 和文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-343062
公開番号（公開出願番号）：特開2007-150002
出願日： 2005年11月29日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】製品の信頼性を確保しつつ、半導体IC内蔵基板全体の厚さを薄くする。【解決手段】芯材に樹脂を含浸させてなるコア層101,102と、コア層101とコア層102との間に設けられた樹脂層111,112と、樹脂層111,112に埋め込まれた半導体IC120とを備える。コア層101,102の厚さは、いずれも100μm以下に設定されており、これにより、基板全体の厚さを十分に薄くすることが可能となる。しかも、強度の低い樹脂層111,112を堅いコア層101,102によって挟み込んでいることから、基板全体の強度が大幅に向上し、半導体IC120の破損などを防止することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
芯材に樹脂を含浸させてなる第1及び第2のコア層と、前記第1のコア層と前記第2のコア層との間に設けられた少なくとも1層の樹脂層と、前記樹脂層に埋め込まれた半導体ICとを備え、前記第1及び第2のコア層の厚さがいずれも100μm以下であることを特徴とする半導体IC内蔵基板。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H05K3/46 Q
, H05K3/46 N
, H05K3/46 B
5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA22
, 5E346AA32
, 5E346AA43
, 5E346BB20
, 5E346CC09
, 5E346CC10
, 5E346CC32
, 5E346EE01
, 5E346FF24
, 5E346FF45
, 5E346GG15
, 5E346GG28
, 5E346HH24
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
