特許
J-GLOBAL ID：200903081703497794

微細パターン形成方法

発明者：
高 橋 清 久

高 橋 清 久 について

, 
高 野 祐 輔

高 野 祐 輔 について


出願人/特許権者：
AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社

AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 について


代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-224050
公開番号（公開出願番号）：特開2006-099059
出願日： 2005年08月02日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 微細パターン形成材料を用いて実効的にレジストパターンを微細化する方法において、架橋膜膜厚を抑え、尚且つ現像欠陥がない微細パターン形成方法の提供。【解決手段】 水溶性樹脂、水溶性架橋剤、および、水または水と水溶性有機溶媒との混合液からなる溶媒を含有する微細パターン形成材料とアミン化合物含有現像液を用いて、架橋膜膜厚を抑えた、尚且つ現像欠陥がない微細パターン形成方法。アミン化合物含有現像液は、ポリアリルアミン、モノメタノールアミン、モノエタノールアミン等の第1級アミン化合物、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジメタノールアミン、ジエタノールアミン等の第2級アミン化合物、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリメタノールアミン、トリエタノールアミン等の第3級アミン化合物、水酸化テトラメチルアミン等の第4級アミン化合物が好ましい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
加熱により酸を供給することができる物質を含むレジストパターン上に微細パターン形成材料組成物を塗布して被覆層を形成させ、加熱によりレジストパターンから酸を拡散させ、前記被覆層の前記レジストパターンに接する部分において架橋反応を起こさせて前記被覆層に架橋膜を形成させ、前記被覆層の未架橋部分を現像液を用いて除去することにより現像する微細パターン形成方法において、前記微細パターン形成材料組成物が水溶性樹脂、水溶性架橋剤、および、水または水と水溶性有機溶媒との混合液からなる溶媒を含んでなり、前記被覆層の未架橋部分の除去をアミン化合物を含有する現像液を用いて行うことを特徴とする微細パターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/40 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/40 511 ,  G03F7/32 ,  H01L21/30 569E
Fターム (8件)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096GA08 ,  2H096GA09 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  5F046LA12
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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