特許
J-GLOBAL ID：200903082333739803
研磨剤および研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-111484
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306869
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板表面に金属配線用の凹部を有する絶縁膜を形成し、その上にバリア膜を介して該凹部を埋めるように金属膜を形成した後、金属膜及びバリア膜を研磨することにより除去して絶縁膜と凹部に存在する金属膜との平坦化された面を形成するに際し、極めて平坦性の高い半導体基板表面を生産性良く研磨できる研磨剤と研磨方法を提供する。【解決手段】 BET法によって測定した比表面積が20m2/g以上、80m2/g未満のシリカを0.1〜20重量%、シュウ酸を0〜1重量%、酸化剤を0〜10重量%含み、残部が水よりなる、金属膜、バリア膜及び絶縁膜の研磨速度を任意に変え得る研磨剤である。
請求項（抜粋）：
BET法によって測定した比表面積が20m2/g以上、80m2/g未満のシリカを0.1〜20重量%、シュウ酸を0〜1重量%、酸化剤を0〜10重量%含み、残部が水よりなることを特徴とする研磨剤。
IPC (5件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/304
, B24B 37/00
, C09K 3/14 550
, C09K 3/14
H01L 21/304 622 D
, H01L 21/304 622 X
, B24B 37/00 H
, C09K 3/14 550 D
, C09K 3/14 550 Z
3C058AA07
, 3C058CB02
, 3C058CB03
, 3C058CB10
, 3C058DA02
, 3C058DA17
