特許
J-GLOBAL ID：200903089473106805
磁気メモリ装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-198133
公開番号（公開出願番号）：特開2004-040006
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】1選択素子と1TMR素子で構成されるMRAMの利点であるアクセス速度の速さとクロスポイント型のMRAMの利点であるセル面積の縮小化とを兼ね備えた磁気メモリ装置の提供を図る。【解決手段】書き込みワード線(第1配線)11とビット線(第2配線)12とが立体的に交差する領域に、書き込みワード線11と絶縁されビット線12と接続するTMR素子13を備えた磁気メモリ装置において、TMR素子13と書き込みワード線11より下層に設けられた第2ランディングパッド(配線層)33とを接続するもので、書き込みワード線11と絶縁された状態で書き込みワード線11内を貫通する接続孔61と、TMR素子13と第2ランディングパッド33とを接続するもので接続孔61内にサイドウォール絶縁膜62を介して形成されたコンタクト63とを備えたものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1配線と、
前記第1配線と立体的に交差する第2配線と、
前記第1配線と電気的に絶縁され、前記第2配線と電気的に接続されたもので、前記第1配線と前記第2配線との交差領域にトンネル絶縁層を強磁性体で挟んで構成されるトンネル磁気抵抗素子とを備えたもので、
前記強磁性体のスピン方向が平行もしくは反平行によって抵抗値が変化することを利用して情報を記憶する不揮発性の磁気メモリ装置において、
前記トンネル磁気抵抗素子と前記第1配線より下層に設けられた配線層とを接続するもので、前記第1配線と絶縁された状態でかつ前記第1配線内を貫通した状態に設けられた接続孔と、
前記トンネル磁気抵抗素子の前記第2配線が接続される側とは反対側と前記第1配線より下層に設けられた配線層とを接続するもので前記接続孔内に形成されたコンタクト部と
を備えたことを特徴とする磁気メモリ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083GA27
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083MA01
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083NA01
, 5F083PR09
, 5F083PR40
