エッチング方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高田幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-268601
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228392
出願日： 1999年04月14日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】低開口率の半導体ウェハであっても、半導体ウェハのエッチング終点を安定に検出して、絶縁膜のエッチングを精度高く行うエッチング方法を提供する。【解決手段】シリコン酸化膜501,low-k(1)膜502,界面503,low-k(2)膜504,窒化シリコン膜505,下地506から形成された層構造を有する膜を作り、該層構造を有する膜をプラズマエッチングして、界面に溝深さが達したことをエッチング特性の変化からエッチング終点判定し、該終点判定があったときにエッチングをこの時点で終了させる絶縁膜のエッチング方法。

請求項（抜粋）：

酸化膜や低誘電材料からなるlow-k 膜を含む絶縁膜のエッチング方法において、シリコン酸化膜,low-k(1)膜,界面,low-k(1)膜とは膜種の異なる、または膜種が同じである場合に仕様の異なるlow-k(2)膜,窒化シリコン膜,下地から形成された層構造を有する膜を作り、該層構造を有する膜をプラズマエッチングして、界面に溝深さが達したことをエッチング特性の変化からエッチング終点判定し、該終点判定があったときにエッチングをこの時点で終了させることを特徴とする絶縁膜のエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (23件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-332894 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-307874 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-190657 出願人：日本電気株式会社

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