特許
J-GLOBAL ID：201003018943676111
位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小林 浩
, 片山 英二
, 古橋 伸茂
, 鈴木 康仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-145945
公開番号（公開出願番号）：特開2010-009038
出願日： 2009年06月19日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：
【課題】位相シフト膜の膜厚を薄膜化させ、OPCパターンが倒壊することなく、パターン精度の要求を満足でき、光学特性の制御性、パターン欠陥検査が可能な位相シフトマスク、およびその原版である位相シフトマスクブランクを提供する。【解決手段】透光性基板上に、ArFエキシマレーザー光の波長に対する透過率が9%以上30%以下で、位相差が150°以上180°未満の光学特性を有する金属、SiおよびNを主な構成要素とする位相シフト膜と、位相シフト膜上に形成された遮光膜とを有し;前記位相シフト膜の膜厚が80nm以下であり;ArFエキシマレーザー光の波長に対する屈折率(n)が2.3以上であり、消衰係数(k)が0.28以上である、ことを特徴とする位相シフトマスクブランク。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体デザインルール32nmノード以降で使用され、ArFエキシマレーザー光で露光される位相シフトマスクの原版である位相シフトマスクブランクであって、
透光性基板上に、ArFエキシマレーザー光の波長に対する透過率が9%以上30%以下で、位相差が150°以上180°未満の光学特性を有する金属、SiおよびNを主な構成要素とする位相シフト膜と、位相シフト膜上に形成された遮光膜とを有し、
前記位相シフト膜の膜厚が80nm以下であり、
ArFエキシマレーザー光の波長に対する屈折率(n)が2.3以上であり、消衰係数(k)が0.28以上である、ことを特徴とする位相シフトマスクブランク。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
2H095BB03
, 2H095BB35
, 2H095BC05
, 2H095BC24
