半導体装置の製造方法および熱処理装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-315562
公開番号（公開出願番号）：特開2010-141103
出願日： 2008年12月11日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：

【課題】半導体装置の製造工程において、100msec以下のパルス幅で照射光を照射することによる半導体基板のダメージを抑え、半導体基板の割れによる歩留り低下を抑えるとともに、低抵抗化と浅接合化の両立を図ることが可能な半導体装置の製造方法と熱処理装置を提供する。【解決手段】表面に素子領域が形成された半導体基板wの表面に、0.1〜100msecのパルス幅で所定の照射エネルギー密度の第1の照射光を照射すると同時に、半導体基板wの裏面の外周部に0.1〜100msecのパルス幅で所定の照射エネルギー密度の第2の照射光を照射し、半導体基板wの裏面の外周部の温度が、半導体基板wの表面の中心の温度より高温となるように熱処理を行う。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

表面に素子領域が形成された半導体基板の表面に、0.1〜100msecのパルス幅で所定の照射エネルギー密度の第1の照射光を照射すると同時に、前記半導体基板の裏面の外周部に0.1〜100msecのパルス幅で所定の照射エネルギー密度の第2の照射光を照射し、前記半導体基板の裏面の外周部の温度が、前記半導体基板の表面の中心の温度より高温となるように熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/26 , H01L 21/265 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L21/26 T , H01L21/265 602B , H01L27/08 102B , H01L29/78 301F

Fターム (29件)：

5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BC06 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F140AA00 , 5F140AA08 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB04

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置の製造方法およびアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-216807 出願人：株式会社東芝
特公昭62-44847号公報
特公平2-5295号公報

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審査官引用 (11件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-027116 出願人：株式会社東芝
熱処理装置および熱処理用サセプタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-218211 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
光加熱装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-157702 出願人：ウシオ電機株式会社

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