特許
J-GLOBAL ID：201003041708930398
研磨液
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
渡辺 望稔
, 三和 晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-250445
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080864
出願日： 2008年09月29日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：
【課題】本発明は、半導体集積回路の平坦化工程での化学的機械的研磨に用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、被研磨体として通常のTEOS絶縁膜と低誘電率のLow-k膜とが積層された絶縁膜を有する基板を用いた場合にも、Low-k膜などの強度の低い絶縁膜に対してCMP後の研磨面上における有機物残渣の付着が抑制され、さらに、固体砥粒の凝集などに起因するスクラッチの発生が抑制される研磨液を提供することを目的とする。【解決手段】半導体集積回路の製造工程において、バリア層および/または層間絶縁膜の化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、第四級アンモニウム塩、腐食抑制剤、少なくとも1つの窒素原子と二個以上のカルボキシル基とを含む有機酸、および無機粒子を含み、pHが1〜7であることを特徴とする研磨液。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体集積回路の製造工程において、バリア層および/または層間絶縁膜の化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、第四級アンモニウム塩、腐食抑制剤、少なくとも1つの窒素原子と二個以上のカルボキシル基とを含む有機酸、および無機粒子を含み、pHが1〜7であることを特徴とする研磨液。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, B24B 37/00
, C09K 3/14
H01L21/304 622D
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550M
, C09K3/14 550D
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058CB01
, 3C058DA12
, 3C058DA17
出願人引用 (3件)
審査官引用 (8件)
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