特許
J-GLOBAL ID：201003070874527461

研磨終点検出方法及び研磨装置

発明者：
松下 治

松下 治 について

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矢内 昭夫

矢内 昭夫 について

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小宮山 孝

小宮山 孝 について

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横山 利幸

横山 利幸 について

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藤田 隆

藤田 隆 について


出願人/特許権者：
株式会社東京精密

株式会社東京精密 について


代理人 (1件)： 林 孝吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-171867
公開番号（公開出願番号）：特開2010-016016
出願日： 2008年06月30日
公開日（公表日）： 2010年01月21日
要約：
【課題】表層のSi層が研磨されるにしたがって短い周期で反射率波形が移動するSOIウェーハの研磨において、該Si層の研磨終了点を確実にモニタする研磨終点検出方法を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明は上記目的を達成するために、研磨中、SOIウェーハの表面から反射された光を解析する解析ステップを有するとともに該解析ステップは、周期性を有する実測分光波形の波長ないしは波数に対し、リアルタイムにフ-リエ変換する第1のステップと、該フ-リエ変換された各周期成分のうち、SOIウェーハにおけるSi層の膜厚に対応した周期成分を抽出する第2のステップと、該抽出した周期成分からSi層の膜厚量をリアルタイムに換算する第3のステップとを有する研磨終点検出方法を提供するものである。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
Si/SiO2/SiのSOI構造を有するウェーハにおける表層のSi層を研磨する研磨装置において、研磨中リアルタイムに前記Si層の膜厚をモニタし、研磨の終点を予測し検出する研磨終点検出方法であって、 前記ウェーハを保持するウェーハヘッドと、プラテンと、該プラテンに固定支持されるパッドと、前記プラテンに固定された透明窓と、前記ウェーハに光を照射するための光源と、前記ウェーハの表面から反射される光を分光する分光器とを有し、研磨中、前記ウェーハの表面から反射された光を解析する解析ステップを有するとともに該解析ステップは、周期性を有する実測分光波形の波長ないしは波数に対し、リアルタイムにフ-リエ変換する第1のステップと、該フ-リエ変換された各周期成分のうち、前記Si層の膜厚に対応した周期成分を抽出する第2のステップと、該抽出した周期成分から前記Si層の膜厚量をリアルタイムに換算する第3のステップとを有することを特徴とする研磨終点検出方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/04 ,  B24B 49/12 ,  G01B 11/06
FI (5件)：
H01L21/304 622S ,  B24B37/04 K ,  B24B49/12 ,  H01L21/304 622W ,  G01B11/06 101G
Fターム (32件)：
2F065AA30 ,  2F065BB03 ,  2F065BB16 ,  2F065CC31 ,  2F065FF51 ,  2F065GG02 ,  2F065GG24 ,  2F065HH13 ,  2F065JJ09 ,  2F065LL01 ,  2F065LL67 ,  2F065PP12 ,  2F065PP13 ,  2F065QQ16 ,  2F065QQ17 ,  3C034AA13 ,  3C034AA19 ,  3C034BB93 ,  3C034CA05 ,  3C034CA22 ,  3C034CB13 ,  3C034CB18 ,  3C034DD10 ,  3C058AA07 ,  3C058AC02 ,  3C058BA09 ,  3C058BB09 ,  3C058BC02 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (5件)
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