特許
J-GLOBAL ID：201103022575000204
半導体基板の接合方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110461
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306951
特許番号：特許第4121665号
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板を、端子電極が形成された実装面に接合する半導体基板の接合方法であって、
前記半導体基板として、該半導体基板の表面に形成された電極パッドと、前記半導体基板の表面を覆い前記電極パッドの表面を開口する保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜上に形成され、前記保護絶縁膜が前記電極パッドを開口する部分から前記電極パッドと接続する接続用下地金属膜とを有したものを準備し、
前記端子電極と前記半導体基板の接続用下地金属膜との間に半田を設け、該半田を溶融させることにより、前記接続用下地金属膜と前記端子電極とを接合し、
この接合を行なう前に、半導体基板の前記接続用下地金属膜を有した面上に非導電性樹脂が設けられるとともに、前記実装面の端子電極上には前記半田が設けられ、
前記半田の溶融により接合している間、前記半導体基板と前記実装面との間隙には前記非導電性樹脂が前記半田の周囲を接して囲むように設けられ、
その接合した後、前記接続用下地金属膜の外周縁を含む領域が前記半田に覆われていないことを特徴とする、半導体基板の接合方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (19件)
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