パターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-066232
公開番号（公開出願番号）：特開2000-267280
特許番号：特許第3299215号
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ベンゼン環の2カ所以上の水素原子が水酸基で置換されたポリスチレンを含むベース樹脂を有するレジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に、F2 レーザ光、Kr2 レーザ光、ArKrレーザ光又はAr2 レーザ光を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光された前記レジスト膜を現像液により現像してレジストパターンを形成する工程とを備えており、前記ベース樹脂は、酸の存在下で前記現像液に対する溶解性が変化する樹脂であり、前記レジスト材料は、光が照射されると酸を発生する酸発生剤を有していることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：