DRAMキャパシタ誘電体膜の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩原誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210985
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044385
特許番号：特許第3685654号
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ポリシリコン蓄積電極を設けた基板を用意するステップと、前記ポリシリコン蓄積電極上に五酸化二タンタル膜を被覆させるステップと、前記五酸化二タンタル膜をリモート酸素プラズマ処理するステップと、前記リモート酸素プラズマ処理後に前記五酸化二タンタル膜に対してスパイクアニールプロセスを行うステップとを具備し、前記スパイクアニールプロセスは、前記リモート酸素プラズマ処理より高温で行い、かつ、前記ポリシリコン蓄積電極表面の酸化膜形成を抑えるように前記リモート酸素プラズマ処理より実施時間が短いことを特徴とするDRAMキャパシタ誘電体膜の製造方法。

IPC (3件)：