特許
J-GLOBAL ID：201103052663303582
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-232546
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060551
特許番号：特許第4101409号
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下地基板の表面上にアモルファスシリコンもしくは多結晶シリコンからなる第1の層を形成する工程と、
前記第1の層に第1のレーザを照射して表面に突起または凹凸が形成された多結晶シリコンからなる第2の層に変化させる工程と、
前記第2の層の表面を、酸化シリコンをエッチングする環境下に置き、該第2の層の表面に覆われている酸化シリコン膜を除去する工程と、
酸化シリコン膜の除去された前記第2の層に、第2のレーザを照射して、第2の層の表面を平坦化する工程とを有し、
該第2のレーザを照射する時の第2の層の表面の単位面積あたりに供給される酸素量が、前記第1のレーザを照射する時の前記第1の層の表面の単位面積あたりに供給される酸素量よりも少ない不活性ガス雰囲気中で該第2のレーザ照射を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (18件)
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