半導体発光素子およびその製法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-570846
特許番号：特許第4365530号
出願日： 1999年09月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板と、該基板上に設けられるZnO系化合物半導体層からなりn型層とp型層とにより発光層を形成する発光層形成部とを有する半導体発光素子であって、前記発光層形成部が、電流注入により発光する活性層を該活性層よりバンドギャップが大きい材料であるMgy Zn1-y O(0≦y<1)からなるn型およびp型のクラッド層により挟持され、前記p型クラッド層には、p型ドーパントと共にn型ドーパントとなり得る元素が緩衝剤として含まれてなる半導体発光素子。

IPC (2件)：