特許
J-GLOBAL ID:201103084745286030
エッチング方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
特許業務法人 日東国際特許事務所
, 小川 勝男
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-268601
公開番号(公開出願番号):特開2000-228392
特許番号:特許第3727496号
出願日: 1999年09月22日
公開日(公表日): 2000年08月15日
請求項(抜粋):
【請求項1】 互いの間に境界を有した低誘電率材料による第1及び第2の絶縁膜を含んで低誘電率を有する層構造に配線を形成するために、プラズマを用いて前記層構造をエッチングするためのエッチング方法であって、前記層構造は、前記第1及び第2の絶縁膜の境界がその面の状態が前記第1及び第2の絶縁膜の内部の状態と異なる界面を有しているものであり、 前記第1の絶縁膜のエッチングを開始して後、前記プラズマの光から得られたデータを多項式適合平滑化微分処理して該データの時間変化を検出して前記界面がエッチングされたことを検知し、この検知した結果に基づいて前記層構造のエッチングを調節するエッチング方法。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許:
審査官引用 (23件)
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半導体装置の作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-332894
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-307874
出願人:富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-190657
出願人:日本電気株式会社
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