特許
J-GLOBAL ID：201203044045394199

異種材料接合型ダイオード及びその製造方法

発明者：
山上 滋春

山上 滋春 について

, 
林 哲也

林 哲也 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (5件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-278044
公開番号（公開出願番号）：特開2012-129299
出願日： 2010年12月14日
公開日（公表日）： 2012年07月05日
要約：
【課題】電流電圧特性を維持しつつ、アノード電極6の剥離に対する機械的強度を向上させる。【解決手段】異種材料接合型ダイオードは、半導体基体1と、半導体基体1の上に形成された第1導電型のドリフト領域2と、ドリフト領域2の主表面に接合された、ドリフト領域2とは異なる種類の材料からなるアノード電極6と、半導体基体1に接続されたカソード電極7とを備える。ドリフト領域2とアノード電極6との接合によりダイオードが形成されている。アノード電極6の主表面のうち、ドリフト領域2に接している側の主表面に、嵌合構造(3、G1)が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基体と、 前記半導体基体の上に形成された第1導電型のドリフト領域と、 前記ドリフト領域の主表面に接合された、前記ドリフト領域とは異なる種類の材料からなるアノード電極と、 前記半導体基体に接続されたカソード電極とを備え、 前記ドリフト領域と前記アノード電極との接合によりダイオードが形成され、 前記アノード電極の主表面のうち、前記ドリフト領域に接している側の主表面に、嵌合構造が形成されている ことを特徴とする異種材料接合型ダイオード。
IPC (6件)：
H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/329
FI (8件)：
H01L29/48 F ,  H01L29/44 S ,  H01L29/91 K ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 B ,  H01L29/91 H ,  H01L29/91 F ,  H01L29/48 D
Fターム (25件)：
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB21 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104EE02 ,  4M104EE11 ,  4M104FF02 ,  4M104FF07 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104HH08
引用特許：
審査官引用 (15件)
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