特許
J-GLOBAL ID：201403021581938252

紫外発光素子、および発光構造体

発明者：
濱 康孝

濱 康孝 について

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木下 亨

木下 亨 について

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溜 直樹

溜 直樹 について


出願人/特許権者：
株式会社トクヤマ

株式会社トクヤマ について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-248662
公開番号（公開出願番号）：特開2014-096539
出願日： 2012年11月12日
公開日（公表日）： 2014年05月22日
要約：
【課題】 光取り出し効率を改善し、フリップチップ実装した際にアンダーフィル剤の劣化を抑制することができる紫外発光素子を提供する。【解決手段】該基板上に、n型III族窒化物半導体層、発光層、p型III族窒化物半導体層とを有する積層半導体層を備え、該p型III族窒化物半導体層上に透光性正電極が形成され、n型III族窒化物半導体層上に負電極が形成されてなる、発光波長が300nm以下の紫外発光素子において、該透光性正電極の上面露出部と該負電極の上面露出部を除いた、正・負電極が形成された側の積層半導体層の側面を含む表面に透光性絶縁層を有し、かつ該透光性絶縁層上、及び該透光性正電極の上面露出部上に金属反射層を有する紫外発光素子。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
透光性基板、及び 該透光性基板上に形成されたn型III族窒化物半導体層と、該n型III族窒化物半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたp型III族窒化物半導体層とを有する積層半導体層を備え、 該p型III族窒化物半導体層上に透光性正電極が形成され、 該n型III族窒化物半導体層、発光層、及びp型III族窒化物半導体層の一部を除去して露出させたn型III族窒化物半導体層上に負電極が形成されてなる、発光波長が300nm以下の紫外発光素子において、 該負電極を形成した面から該透光性正電極が形成された側の積層半導体層の表面であって、該透光性正電極の上面露出部と該負電極の上面露出部を除いた積層半導体層の表面に透光性絶縁層を有し、かつ該透光性絶縁層上、及び該透光性正電極の上面露出部上に金属反射層を有することを特徴とする紫外発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/44 ,  H01L 33/42 ,  H01L 33/56
FI (3件)：
H01L33/00 300 ,  H01L33/00 222 ,  H01L33/00 424
Fターム (32件)：
5F141AA03 ,  5F141AA04 ,  5F141AA43 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA13 ,  5F141CA40 ,  5F141CA49 ,  5F141CA57 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA83 ,  5F141CA85 ,  5F141CA87 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CA93 ,  5F141CB05 ,  5F141CB15 ,  5F141FF16 ,  5F142BA32 ,  5F142CA11 ,  5F142CA13 ,  5F142CB03 ,  5F142CD02 ,  5F142CD16 ,  5F142CG04 ,  5F142CG05 ,  5F142CG15 ,  5F142CG16 ,  5F142CG42 ,  5F142FA12
引用特許：
審査官引用 (13件)
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