特許
J-GLOBAL ID：201403028732207519
窒化物半導体デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
園田 吉隆
, 小林 義教
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-259335
公開番号（公開出願番号）：特開2014-116607
出願日： 2013年12月16日
公開日（公表日）： 2014年06月26日
要約：
【課題】窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】デバイスはIII族窒化物チャネル層3とIII族窒化物チャネル層3上のIII族窒化物障壁層4とを含み、III族窒化物障壁層4は第1部分4-1と第2部分4-2とを含み、第1部分4-1は第2部分4-2より薄い厚さを有する。pドープIII族窒化物ゲート層部5は、III族窒化物障壁層4の少なくとも第1部分4-1上に配置され、ゲートコンタクト10はpドープIII族窒化物ゲート層部5上に形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物チャネル層(3)と、
前記III族窒化物チャネル層(3)上のIII族窒化物障壁層(4)であって、前記III族窒化物障壁層(4)は第1部分(4-1)と第2部分(4-2)を含み、前記第1部分(4-1)は前記第2部分(4-2)より薄い厚さを有する、III族窒化物障壁層(4)と、
前記III族窒化物障壁層(4)の前記第1部分(4-1)上に少なくとも配置されたpドープIII族窒化物ゲート層部(5)と、
前記pドープIII族窒化物ゲート層部(5)上のゲートコンタクト(10)と、
ソース電極(11)と、
前記ソース電極(11)から離れて配置されたドレイン電極(12)と、を含む半導体デバイス。
IPC (6件)：
H01L 27/098
, H01L 29/808
, H01L 21/337
, H01L 29/812
, H01L 29/778
, H01L 21/338
H01L29/80 C
, H01L29/80 H
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD04
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ04
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GM08
, 5F102GQ01
, 5F102GR03
, 5F102GR12
, 5F102GV07
, 5F102GV08
