半導体装置の製造方法及びこれに用いる半導体製造装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴木壯兵衞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-040129
公開番号（公開出願番号）：特開2017-055098
出願日： 2016年03月02日
公開日（公表日）： 2017年03月16日
要約：

【課題】炭化珪素を材料とする半導体基板又は炭化珪素を材料とする半導体層の表面を熱酸化してシリコン酸化膜を形成する際に、炭化珪素と二酸化珪素の界面準位密度を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素を材料とする被処理基体の表面に酸化剤を含むガスを供給することにより、被処理基体の表面を熱酸化してシリコン酸化膜を形成するステップ(S11)と、シリコン酸化膜を形成するステップ後に、ガス中の酸化剤の分圧を10Pa以下に低下して雰囲気を置換するステップ(S12)と、雰囲気を置換するステップ後に、被処理基体の温度を降温させるステップ(S13)とを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

炭化珪素を材料とする被処理基体の表面に酸化剤を含むガスを供給することにより、前記被処理基体の表面を熱酸化してシリコン酸化膜を形成するステップと、前記シリコン酸化膜を形成するステップ後に、前記ガス中の前記酸化剤の分圧を10Pa以下に低下して雰囲気を置換するステップと、前記雰囲気を置換するステップ後に、前記被処理基体の温度を降温させるステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 29/739

FI (10件)：

H01L21/316 S , H01L21/31 B , H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L29/78 652T , H01L29/78 658F , H01L29/78 652D , H01L29/78 652K , H01L27/04 C , H01L29/78 655A

Fターム (46件)：

5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038EZ01 , 5F038EZ02 , 5F038EZ13 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ16 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045AD16 , 5F045AD17 , 5F045AD18 , 5F045EE14 , 5F045EE18 , 5F045EJ02 , 5F045EJ09 , 5F058BB01 , 5F058BF56 , 5F058BF59 , 5F058BF62 , 5F058BH03 , 5F140AA40 , 5F140AC23 , 5F140AC39 , 5F140BA02 , 5F140BA20 , 5F140BE02 , 5F140BE07 , 5F140BE17 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BG28 , 5F140BH43 , 5F140BJ05 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140BK33 , 5F140CE02

引用特許：

出願人引用 (9件)

炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-310865 出願人：株式会社デンソー
炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-212017 出願人：日産自動車株式会社
特開昭55-128824

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審査官引用 (10件)

炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-310865 出願人：株式会社デンソー
炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-212017 出願人：日産自動車株式会社
特開昭55-128824

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