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J-GLOBAL ID：200903006903086649

半導体装置、電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法

Inventor：
大田 一樹

About 大田 一樹

, 
川中 雅史

About 川中 雅史


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (2)： 岩壁 冬樹 ,  須藤 浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003420001
Publication number (International publication number)：2005183551
Application date： Dec. 17, 2003
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：
【課題】 寄生抵抗の増大を生じることなくゲートリーク電流を低減し、素子の耐圧を向上させることのできる半導体装置を提供する。【解決手段】 基板101上に、バッファ層102、チャネル層103、電子供給層104、バリア層105およびキャップ層106が順に積層され、キャップ層106上にゲート電極108が形成される。電子供給層104は、バッファ層102よりもa軸格子定数が小さく、かつ、チャネル層103よりも電子親和力の小さいAlGaNで構成される。バリア層105、電子供給層104よりも電子親和力が小さいAlNで構成される。キャップ層106は、バッファ層102とa軸格子定数がほぼ整合し、かつ、バリア層102よりもAlNの混晶比が小さいGaNで構成される。バリア層105は、ウェットエッチングによって形成される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板上に、バッファ層、チャネル層、電子供給層、バリア層およびキャップ層がこの順序で積層され、該キャップ層上に電極が形成される半導体装置において、 前記電子供給層が、前記バッファ層よりもa軸格子定数が小さく、かつ、前記チャネル層よりも電子親和力の小さい窒化物系半導体で構成され、 前記バリア層が、前記電子供給層の最表面を構成する窒化物系半導体よりも電子親和力が小さく、かつ、AlNの混晶比が大きい窒化物系半導体で構成され、 前記キャップ層が、前記バッファ層とa軸格子定数がほぼ整合し、かつ、前記バリア層よりもAlNの混晶比が小さい窒化物系半導体で構成される ことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (1)：
H01L29/80 H
F-Term (22)：
5F102FA00 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK02 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR10 ,  5F102GS01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • コネクタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-016426   Applicant：日本航空電子工業株式会社
Cited by examiner (13)
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