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J-GLOBAL ID：200903014169352123

フォトレジスト除去装置

Inventor：
山崎 和俊

About 山崎 和俊


Applicant, Patent owner：
積水化学工業株式会社

About 積水化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000151565
Publication number (International publication number)：2001330969
Application date： May. 23, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 半導体や液晶等の製造におけるフォトリソグラフィー工程で、不要になったフォトレジストを除去する際、迅速に精度良く高濃度のオゾン水を生成させて、生産効率良くフォトレジストを除去出来、且つ、ばっ気設備や気液分離塔は必要がない、小型設備で可能なフォトレジスト除去装置を提供するものである。【解決手段】 基盤上にフォトレジストパターン層が形成された、フォトレジスト積層体を、エッチング処理した後、不要となった前記積層体のフォトレジストパターン層を、オゾン水を用いて除去するフォトレジスト除去装置であって、上記オゾン水は、原料水とオゾンガスとを気体のみを通し液体の透過を阻止するオゾンガスを溶け込ますようにして生成することを特徴とするフォトレジスト除去装置。
Claim (excerpt)：
基盤上にフォトレジスト層が形成させたフォトレジスト積層体をエッチング処理した後、不要となった前記積層体のフォトレジスト層を、オゾン水を用いて除去するフォトレジスト除去装置であって、上記オゾン水は、原料水とオゾンガスとを気体のみを通し液体の透過を阻止するオゾンガス透過膜で隔離せしめ、該オゾンガス透過膜を通して上記原料水に、上記オゾンガスを溶け込ますようにして生成することを特徴とするフォトレジスト除去装置。
IPC (5)：
G03F 7/42 ,  B01F 1/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306 ,  C01B 13/10
FI (5)：
G03F 7/42 ,  B01F 1/00 A ,  C01B 13/10 D ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/306 D
F-Term (15)：
2H096AA25 ,  2H096AA30 ,  2H096LA03 ,  4G035AA01 ,  4G035AE13 ,  4G035AE17 ,  4G042CE01 ,  4G042CE04 ,  5F043AA40 ,  5F043BB30 ,  5F043CC16 ,  5F043EE37 ,  5F043EE40 ,  5F046MA02 ,  5F046MA19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (18)
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