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J-GLOBAL ID：200903018737067795

遠紫外線ドライフォトリソグラフィー

Inventor：
ダイアン スギアート

About ダイアン スギアート

, 
デイヴィッド ムイ

About デイヴィッド ムイ


Applicant, Patent owner：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

About アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999330022
Publication number (International publication number)：2000305273
Application date： Nov. 19, 1999
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：
【要約】 (修正有)【解決手段】 有機シランプラズマ重合体のドライフォトリソグラフィープロセス。トリメチルシランやその他の有機シラン前駆体により、密度の高い遠紫外線フォトレジスト層を形成すること、また上記フォトレジスト層のコントラストは、現像プラズマの酸素含有率により選択されること、さらにまた上記トリメチルシランのプラズマ重合体層は、フォトリソグラフィーの露光の前後において、空気中で安定であることを特徴とする遠紫外線ドライフォトリソグラフィープロセス。【効果】良好なエッジ出し性と、ライン間隔0.13ミクロン以下に画する場合に高いコントラストを備えたドライフォトリソグラフィープロセスの実現。
Claim (excerpt)：
パターンを有するレジスト層を基板上に形成するプロセスであって、a)基板を内包する処理チャンバの中に、トリメチルシランを流入させ、b)トリメチルシランよりプラズマを生成し、トリメチルシランのプラズマ重合体を基板上に形成し、c)トリメチルシランプラズマ重合体層の一部を選択し酸化雰囲気下で露光して該層の当該選択部分の少なくとも一部を酸化し、該層の露光部分と該層の未露光部分とを形成し、d)エッチングプロセスを用いて該層を現像し、該露光部分又は該未露光部分を選択的に除去する各工程を有するプロセス。
IPC (4)：
G03F 7/075 511 ,  G03F 7/36 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (7)：
G03F 7/075 511 ,  G03F 7/36 ,  H01L 21/30 502 C ,  H01L 21/30 504 ,  H01L 21/30 564 Z ,  H01L 21/30 569 H ,  H01L 21/302 J
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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