半導体素子、発光素子及びその基板の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007250974
Publication number (International publication number)：2008010894
Application date： Sep. 27, 2007
Publication date： Jan. 17, 2008
Summary：

【課題】半導体発光素子において高い外部量子効率を安定に確保する。【解決手段】基板(10)の表面部分には活性層(12)で発生した光を散乱又は回析させる少なくとも1つの凹部(20)及び/又は凸部(21)を形成する。凹部及/又は凸部は半導体層(11、13)に結晶欠陥を発生させないように、第1の傾斜面(22)、第2の傾斜面(23)、又は第1,2の傾斜角θ1、θ2を有する側面形状とする。好ましくは、θ1>θ2となるような第1,2の傾斜面(22,23)もしくは突出した曲面の側面(26)で構成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板表面上に基板とは材質の異なる半導体層を備えており、該基板の表面部分には凹部及び/又は凸部が形成された半導体素子において、上記凹部及び/又は凸部の側面には少なくとも2つ以上の傾斜角の異なる傾斜面を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (16)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CA85 , 5F041CA87 , 5F041CA93 , 5F041CA98 , 5F041CB36 , 5F041DA07 , 5F041DA09 , 5F041DA20 , 5F041DA61 , 5F041EE25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-024950 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
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半導体基材及びその作製方法
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-081447 Applicant：三菱電線工業株式会社

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