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J-GLOBAL ID：200903028133232564

金属ドープ層の形成方法、成膜装置及び記憶媒体

Inventor： 門永 健太郎 ,  戸根川 大和 ,  周 保華 ,  長谷部 一秀 ,  柴田 哲弥
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008109613
Publication number (International publication number)：2009260151
Application date： Apr. 18, 2008
Publication date： Nov. 05, 2009
Summary：

【課題】金属ドープ層を形成するに際して、金属を低濃度の領域において制御性良くドープさせることができると共に、膜厚方向における金属の濃度分布を制御することが可能な金属ドープ層の形成方法を提供する。【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器4内で被処理体Wの表面に金属が含まれた金属ドープ層100を形成する金属ドープ層の形成方法において、絶縁層原料ガスを用いて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、金属を含む金属層原料ガスを用いて金属層104を形成する金属層形成工程とを、金属層形成工程が少なくとも1回含まれるように交互に繰り返し行うようにする。これにより、金属を低濃度の領域において制御性良くドープさせる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体の表面に金属が含まれた金属ドープ層を形成する金属ドープ層の形成方法において、 絶縁層原料ガスを用いて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記金属を含む金属層原料ガスを用いて金属層を形成する金属層形成工程とを、前記金属層形成工程が少なくとも1回含まれるように交互に繰り返し行うようにしたことを特徴とする金属ドープ層の形成方法。

IPC (10)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/316

FI (8)：

H01L21/318 B ,  H01L21/31 C ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/42 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L21/316 B

F-Term (72)：

4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA29 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB40 ,  5F045AC05 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB04 ,  5F045CA05 ,  5F045DC57 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EG01 ,  5F045EH13 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ01 ,  5F083EP17 ,  5F083EP18 ,  5F083EP48 ,  5F083EP49 ,  5F083EP50 ,  5F083GA21 ,  5F083JA04 ,  5F083PR21 ,  5F101BA45 ,  5F101BA54 ,  5F101BF02 ,  5F101BH02 ,  5F101BH05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• ビス(t-ブチルアミノ)シランからの窒化珪素の化学気相成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-281036   Applicant：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
• 複数のトラップ膜を備える不揮発性メモリ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-039660   Applicant：三星電子株式会社
• ガスパルスの供給方法およびこれを用いた成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-193846   Applicant：理化学研究所, 新技術事業団
• 成膜方法及び成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-248292   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (8)

• ジルコニウム酸化膜を含む積層構造の誘電膜を備えたフラッシュメモリ素子の誘電体、フラッシュメモリ素子及びそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-280964   Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-200083   Applicant：富士通株式会社
• 金属シリケート窒化膜の製造方法および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-341605   Applicant：ソニー株式会社
• ルテニウム電極と二酸化チタン誘電膜とを利用する半導体素子のキャパシタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-272057   Applicant：財団法人ソウル大学校産学協力財団
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-130834   Applicant：株式会社ルネサステクノロジ, 独立行政法人産業技術総合研究所, ローム株式会社, 株式会社堀場製作所
• ドープ窒化膜、ドープ酸化膜、およびその他のドープ膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-182180   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 金属化合物薄膜の気相堆積方法及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-150289   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体集積回路用絶縁膜、絶縁膜の製造方法、電荷蓄積素子、不揮発性メモリ素子及び絶縁ゲート型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-332244   Applicant：三菱電機株式会社