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J-GLOBAL ID:200903029352326694
酸化膜透明導電膜およびそれを用いた透明導電性基材、薄膜トランジスタ基板、光電変換素子、光検出素子
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007042943
Publication number (International publication number):2007273455
Application date: Feb. 22, 2007
Publication date: Oct. 18, 2007
Summary:
【課題】可視及び赤外域での透過性に優れた酸化物透明導電膜を提供することを目的とする。また、本発明の酸化物透明導電膜を光電変換素子の透明電極として用いることにより、従来では不可能であった赤外域の分光感度の高い高効率太陽電池、あるいは微弱な赤外線を検出できる高性能光検出素子を実現することを目的とする。【解決手段】酸化物透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、ジルコニウムを含有する透明導電膜において、ジルコニウム/インジウムの原子数比が0より大きく0.1以下の割合で含まれていることを特徴とする。【選択図】図5
Claim (excerpt):
酸化インジウムを主成分とし、ジルコニウムを含有する酸化物透明導電膜において、ジルコニウム/インジウムの原子数比が0より大きく0.1以下の割合で含まれていることを特徴とする酸化物透明導電膜。
IPC (7):
H01B 1/08
, H01L 31/10
, H01L 31/04
, H01B 5/14
, H01L 29/786
, H01L 21/28
, C23C 14/08
FI (8):
H01B1/08
, H01L31/10 H
, H01L31/04 H
, H01L31/04 M
, H01B5/14 A
, H01L29/78 612C
, H01L21/28 301R
, C23C14/08 D
F-Term (34):
4K029AA09
, 4K029BA45
, 4K029BA50
, 4K029BC09
, 4K029CA01
, 4K029DB05
, 4K029DB20
, 4M104BB36
, 4M104BB38
, 4M104BB39
, 4M104DD37
, 4M104GG05
, 4M104HH16
, 5F049MA04
, 5F049NA01
, 5F049SE02
, 5F049WA01
, 5F051FA02
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110BB09
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG15
, 5F110HL07
, 5G301CA02
, 5G301CA15
, 5G301CA28
, 5G301CD03
, 5G301CE01
, 5G307FB01
, 5G307FC09
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (9)
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導電性酸化物およびそれを用いた電極
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-280505
Applicant:ホーヤ株式会社
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高抵抗化酸化インジウム膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-021912
Applicant:日本曹達株式会社
-
光起電力素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-075023
Applicant:キヤノン株式会社
-
表示素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-148353
Applicant:大見忠弘, 陳宗欣
-
透明電極膜及び同電極膜を形成するためのスパッタリングターゲット
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-025078
Applicant:株式会社日鉱マテリアルズ
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スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電ガラス基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-132621
Applicant:出光興産株式会社
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薄膜太陽電池およびその製造方法ならびにエッチング液
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-039169
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所, シャープ株式会社
-
CdTe/CdS薄膜太陽電池を大規模に生産する方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2003-535266
Applicant:ソーラーシステムズアンドエクイップメンツエス.アール.エル.
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特許第2624410号
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