薄膜太陽電池およびその製造方法ならびにエッチング液

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：原謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002039169
Publication number (International publication number)：2003243677
Application date： Feb. 15, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】透明導電層に対して、安価かつ容易な製造方法により、透明導電層の表面に所望の穴および凹凸を形成することで、十分な光閉込効果を得て、高い光電変換効率を有する薄膜太陽電池およびその製造方法ならびにエッチング液を提供する。【解決手段】透明導電層11bを、アルコール誘導体を含有した酸あるいはアルカリ性のエッチング液によってエッチング処理を行い、透明導電層11bの表面に複数の穴と微細な凹凸を形成する。

Claim (excerpt)：

基板、透明導電層、光電変換層を少なくとも備えた薄膜太陽電池において、上記透明導電層の表面を、下記の構造式(1)で示されるアルコール誘導体を少なくとも1種類含むエッチング液を用いてエッチングすることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。A-(OH)n ・・・・・(1)(nは1〜4の整数、Aは炭素原子を介して水酸基と結合した脂肪族炭化水素残基である。)

IPC (3)：

H01L 31/04 , H01L 21/306 , H01L 21/308

FI (3)：

H01L 21/308 A , H01L 31/04 M , H01L 21/306 F

F-Term (16)：

5F043AA21 , 5F043BB30 , 5F043FF10 , 5F043GG10 , 5F051AA02 , 5F051AA05 , 5F051BA14 , 5F051BA16 , 5F051CA15 , 5F051DA04 , 5F051FA02 , 5F051FA13 , 5F051FA15 , 5F051FA19 , 5F051GA02 , 5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (26)

半導体太陽電池の製造方法及びその半導体太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-344957 Applicant：キヤノン株式会社
太陽電池用基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-226809 Applicant：シャープ株式会社
シリコン系薄膜光電変換装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-057056 Applicant：鐘淵化学工業株式会社

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