極微小多探針プローブの製造方法及び表面特性解析装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：坂上正明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002254880
Publication number (International publication number)：2004093352
Application date： Aug. 30, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：

【課題】本発明の課題は、サブミクロン間隔の多探針プローブを製作できる加工法を確立し、そのような極微小多探針プローブを提供することであり、また、その極微小多探針プローブを用いた極端に小さい領域での電気計測において、該計測に影響を及ぼすことの無い位置合わせ機能を備えた半導体デバイス等の極表面解析装置を提供することにある。【解決手段】本発明の極微小多探針プローブ製造方法は、リソグラフィによるマイクロカンチレバー製作手法により複数本のリード部を分離形成すると共に先端部には短絡エリアが形成されたカンチレバーを作成するステップと、集束荷電粒子ビームを用いて前記先端部の短絡エリアをスパッタ若しくはガスアシストエッチング又は、CVD形成により加工し、5μm以下のピッチの探針を形成させるステップとからなる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

リソグラフィによるマイクロカンチレバー製作手法により複数本のリード部を分離形成すると共に先端部には短絡エリアが形成されたカンチレバーを作成するステップと、集束荷電粒子ビームを用いて前記先端部の短絡エリアをスパッタ若しくはガスアシストエッチングにより加工し、探針を形成させるステップとからなる極微小多探針プローブの製造方法。

IPC (7)：

G01R1/073 , G01N13/10 , G01N13/12 , G01N13/16 , G12B21/04 , G12B21/08 , H01L21/66

FI (9)：

G01R1/073 F , G01R1/073 A , G01N13/10 C , G01N13/12 A , G01N13/12 D , G01N13/16 A , H01L21/66 B , G12B1/00 601B , G12B1/00 601D

F-Term (11)：

2G011AA13 , 2G011AA15 , 2G011AC06 , 2G011AE03 , 4M106AA01 , 4M106AA02 , 4M106BA01 , 4M106CA01 , 4M106DD03 , 4M106DD05 , 4M106DH51

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (17)

複数の電極を有するカンチレバーおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-186495 Applicant：科学技術振興事業団
回路基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-220681 Applicant：電気化学工業株式会社
SPM用探針及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-268757 Applicant：株式会社アドバンテスト

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