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J-GLOBAL ID：200903032813261124

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
日浦 英文

About 日浦 英文

, 
多田 哲也

About 多田 哲也

, 
金山 敏彦

About 金山 敏彦


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社

, 
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Agent (3)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005315627
Publication number (International publication number)：2007123657
Application date： Oct. 31, 2005
Publication date： May. 17, 2007
Summary：
【課題】 ナノスケール領域のボトムアップ型微細加工方法とそれを用いて製造される半導体装置を提供する。【解決手段】 カーボンナノチューブに代表されるナノ細線材料2に関して、外部からエネルギーを投入することで局所的に発生するジュール熱、光又は熱電子を、外部から添加される原料9の化学反応や固相成長やナノ細線材料2自身の物性変換のための微小エネルギー4として利用することにより、ナノ細線材料2の近傍のみを自己整合的・自己制限的に加工する。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
ナノ細線材料に対して外部からエネルギーを投入することで局所的に微小エネルギーを発生させ、この微小エネルギーを利用して外部から添加される原料に対して化学反応又は固相成長を起こさせることにより、ナノ細線材料の近傍のみを自己整合的に加工することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (12)：
H01L 29/06 ,  H01L 29/786 ,  B82B 3/00 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  C01B 31/02
FI (11)：
H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618B ,  B82B3/00 ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 321B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310E ,  H01L21/268 F ,  H01L21/20 ,  C01B31/02 101F
F-Term (50)：
4G146AA11 ,  4G146AD29 ,  4G146BA04 ,  4G146CB11 ,  5F048AB04 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BB01 ,  5F048BC01 ,  5F048BC15 ,  5F048BD01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110BB09 ,  5F110CC10 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE22 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF12 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG22 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK39 ,  5F110HM02 ,  5F110QQ11 ,  5F152BB01 ,  5F152BB02 ,  5F152BB06 ,  5F152BB07 ,  5F152BB08 ,  5F152CE02 ,  5F152CE03 ,  5F152CE08 ,  5F152EE14 ,  5F152EE16 ,  5F152FF11 ,  5F152FF29 ,  5F152FF41 ,  5F152FF43 ,  5F152FF44 ,  5F152FF45 ,  5F152FF46
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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