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J-GLOBAL ID：200903045099238495

ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法

Inventor：
鈴木 貴子

About 鈴木 貴子

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土井 宏介

About 土井 宏介

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小原 秀克

About 小原 秀克

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中山 寿昌

About 中山 寿昌


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998149967
Publication number (International publication number)：1999338136
Application date： May. 29, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高感度、高解像性であり、かつ焦点深度幅特性、アンダー露光余裕度が改善されたポジ型ホトレジスト組成物の提供。【解決手段】 (A)アルカリ可溶性樹脂、(B)例えばビス[2,5-ジメチル-3-(2-ヒドロキシ-5-メチルベンジル)-4-ヒドロキシフェニル]メタンおよび/または2,4-ビス[4-ヒドロキシ-3-(4-ヒドロキシベンジル)-5-メチルベンジル]-6-シクロヘキシルフェノール、および(C)4,4’-ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンを含有してなるポジ型ホトレジスト組成物。
Claim (excerpt)：
(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)下記一般式(I)【化1】(式中、R1〜R8は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数1〜3のアルキル基を表す)および下記一般式(II)【化2】(式中、R9〜R17は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数1〜3のアルキル基を表し、R18は、炭素原子数1〜3のアルキル基またはシクロアルキル基を表す)で表される化合物の中から選ばれる少なくとも1種の化合物のキノンジアジドエステル化物、および(C)4,4’-ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンを含有してなるポジ型ホトレジスト組成物。
IPC (3)：
G03F 7/022 601 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F 7/022 601 ,  G03F 7/004 503 Z ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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