Pat
J-GLOBAL ID:200903063342737452
半導体装置の作製方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005148009
Publication number (International publication number):2006019707
Application date: May. 20, 2005
Publication date: Jan. 19, 2006
Summary:
【課題】 ナノインプリント法を用いることでコストを抑えることができる、半導体装置の作製方法の提案を課題とする。【解決手段】 本発明は、島状の半導体膜上にゲート絶縁膜と、導電膜と、レジストとを順に形成し、パターンが形成されたモールドをレジストに押し付けた状態でレジストの硬化を行なうことで、パターンをレジストに転写し、導電膜の一部が露出するまでパターンが転写されたレジストの表面をアッシングし、アッシングされたレジストをマスクとして用い、導電膜をエッチングすることを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
島状の半導体膜上にゲート絶縁膜と、導電膜と、レジストとを順に形成し、
パターンが形成されたモールドを前記レジストに押し付けた状態で前記レジストの硬化を行なうことで、前記パターンを前記レジストに転写し、
前記導電膜の一部が露出するまで前記パターンが転写された前記レジストの表面をアッシングし、
前記アッシングされた前記レジストをマスクとして用い、前記導電膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (9):
H01L 21/336
, H01L 29/786
, H01L 21/28
, H01L 21/320
, H01L 21/768
, H01L 21/321
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, H01L 21/027
FI (9):
H01L29/78 627C
, H01L21/28 L
, H01L29/78 617K
, H01L29/78 616A
, H01L21/88 B
, H01L21/90 A
, H01L21/88 D
, H01L29/58 G
, H01L21/30 502D
F-Term (116):
4M104AA01
, 4M104AA03
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104CC05
, 4M104DD07
, 4M104DD61
, 4M104DD65
, 4M104EE03
, 4M104EE12
, 4M104EE16
, 4M104FF07
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104HH20
, 5F033HH08
, 5F033HH09
, 5F033HH10
, 5F033HH18
, 5F033JJ01
, 5F033JJ08
, 5F033JJ09
, 5F033JJ10
, 5F033JJ18
, 5F033KK08
, 5F033KK11
, 5F033KK18
, 5F033KK19
, 5F033KK20
, 5F033MM08
, 5F033NN03
, 5F033NN32
, 5F033QQ00
, 5F033QQ09
, 5F033QQ12
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033VV15
, 5F033XX33
, 5F033XX34
, 5F046AA20
, 5F046AA28
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE14
, 5F110EE22
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG16
, 5F110GG17
, 5F110GG25
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110GG45
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ12
, 5F110HJ13
, 5F110HJ23
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL06
, 5F110HL12
, 5F110HL14
, 5F110HM15
, 5F110NN04
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN34
, 5F110NN78
, 5F110PP01
, 5F110PP02
, 5F110PP03
, 5F110PP04
, 5F110PP05
, 5F110PP06
, 5F110PP10
, 5F110PP13
, 5F110PP29
, 5F110PP34
, 5F110QQ01
, 5F110QQ11
, 5F110QQ19
, 5F110QQ24
, 5F110QQ25
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (11)
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