化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003361849
Publication number (International publication number)：2005128146
Application date： Oct. 22, 2003
Publication date： May. 19, 2005
Summary：

【解決手段】(A)ベース樹脂が、ポリアクリル酸類などの高分子重合体(B)式(1)の化合物【化1】(R1、R2はH、F、アルキル又はフッ素化アルキル、R1、R2のうち少なくとも一方がフッ素原子を含む。R3は単結合又はアルキレン基、R4は環状のアルキル、nは1〜4の整数)(C)有機溶剤(D)酸発生剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料。【効果】本発明によれば、高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さく、QCM法による測定により現像中の膨潤が押さえられる超LSI製造用の微細パターン形成材料を与えることが可能である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(A)ベース樹脂が、ポリアクリル酸及びその誘導体、シクロオレフィン誘導体-無水マレイン酸交互重合体、シクロオレフィン誘導体と無水マレイン酸とポリアクリル酸又はその誘導体との3もしくは4元以上の共重合体、シクロオレフィン誘導体-マレイミド交互重合体、シクロオレフィン誘導体とマレイミドとポリアクリル酸又はその誘導体との3もしくは4元以上の共重合体、ポリノルボルネン、及びメタセシス開環重合体から選択される1種又は2種以上の高分子重合体、 (B)下記一般式(1)で示される化合物、

IPC (3)：

G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (3)：

G03F7/004 501 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

F-Term (18)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB14 , 2H025CB45 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

特公平2-27660号公報
ラクトン添加剤を含むレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-238985 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
バルキーな無水物添加剤を含むレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-239023 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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Cited by examiner (5)

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-393328 Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
ノルボルナン系含フッ素化合物および感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-275425 Applicant：JSR株式会社
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-353954 Applicant：JSR株式会社

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