半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、光ピックアップ、光ディスク装置、半導体装置の製造方法、半導体装置および窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：森幸一 , 逢坂宏 , 松村修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007282714
Publication number (International publication number)：2008244423
Application date： Oct. 31, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：

【課題】端面窓構造を極めて簡単に形成することができ、光導波損失やレーザ動作時の光吸収・局所的な発熱を抑えることができる、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】n型GaN基板11上の少なくとも端面窓構造の形成位置の近傍にSiO2 膜などからなる絶縁膜マスク16を形成する。絶縁膜マスク16の幅、間隔、形状、位置などは設計により決める。この絶縁膜マスク16で覆われていない部分のn型GaN基板11上に、InおよびGaを含む窒化物系III-V族化合物半導体からなる活性層19を含むGaN系半導体層25を成長させることにより、端面窓構造を有する半導体レーザを製造する。絶縁膜マスク16の上の部分に形成された凹部は絶縁物で埋めるのが好ましい。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III-V族化合物半導体からなる活性層を含む窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させるようにした、端面窓構造を有する半導体レーザの製造方法であって、上記基板上の、少なくとも上記端面窓構造の形成位置の近傍に絶縁膜からなるマスクを形成する工程と、上記マスクで覆われていない部分の上記基板上に上記活性層を含む上記窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる工程とを有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。

IPC (2)：

H01S 5/343 , H01S 5/22

FI (2)：

H01S5/343 610 , H01S5/22

F-Term (17)：

5F173AA23 , 5F173AB63 , 5F173AB64 , 5F173AF15 , 5F173AF18 , 5F173AF32 , 5F173AF96 , 5F173AH22 , 5F173AK04 , 5F173AK08 , 5F173AL13 , 5F173AP05 , 5F173AP13 , 5F173AP32 , 5F173AP33 , 5F173AP56 , 5F173AR68

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

半導体レーザ素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-277410 Applicant：シャープ株式会社
半導体レーザ素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-396900 Applicant：ソニー株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-369471 Applicant：株式会社東芝

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半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-127305 Applicant：三洋電機株式会社
量子井戸半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-036330 Applicant：日本電気株式会社
半導体レーザ装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-147016 Applicant：三菱電機株式会社

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