Pat
J-GLOBAL ID：200903092023047524

ルテニウム膜形成用組成物

Inventor：
門倉 秀公

About 門倉 秀公


Applicant, Patent owner：
株式会社高純度化学研究所

About 株式会社高純度化学研究所


Agent (2)： 木下 茂 ,  石村 理恵
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005369809
Publication number (International publication number)：2007169725
Application date： Dec. 22, 2005
Publication date： Jul. 05, 2007
Summary：
【課題】化学気相成長法において、ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムを用いてルテニウム膜を形成する際に、インキュベーション時間の短縮を図ることができるルテニウム膜形成用組成物を提供する。【解決手段】化学気相成長法によるルテニウム膜形成原料として、ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムに、120°C以上240°C以下で熱分解するルテニウム化合物を0.01モル%以上5モル%以下添加して溶解させた組成物を用いる。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
化学気相成長法によるルテニウム膜形成原料であって、ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムに、120°C以上240°C以下で熱分解するルテニウム化合物が0.01モル%以上5モル%以下溶解していることを特徴とするルテニウム膜形成用組成物。
IPC (3)：
C23C 16/18 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285
FI (3)：
C23C16/18 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C
F-Term (9)：
4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104DD31 ,  4M104DD45
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (7)
Show all
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM